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台积电取得集成芯片以及形成集成芯片的方法专利

文章来源:和仕咨询整理 作者:和仕咨询整理 阅读量:110 发布时间:2024-03-13

据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成芯片以及形成集成芯片的方法“,授权公告号CN112992945B,申请日期为2020年12月。

专利摘要显示,本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)及形成集成芯片的方法。所述集成芯片包括位于衬底中的第一相位检测自动聚焦(PDAF)光电检测器及第二PDAF光电检测器。第一电磁辐射(EMR)漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第一PDAF光电检测器的周边以内。第一EMR漫反射器与第一PDAF光电检测器的第一侧间隔开第一距离且与第一PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第一距离小的第二距离。第二EMR漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第二PDAF光电检测器的周边以内。第二EMR漫反射器与第二PDAF光电检测器的第一侧间隔开第三距离且与第二PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第三距离小的第四距离。

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