第三代半导体材料，指带隙宽度明显大于 Si（1.1eV）和 GaAs（1.4eV）的宽禁带半导体材料，主要包括Ⅲ族氮化物（如GaN、AlN等）、碳化硅（SiC）、氧化物半导体（如ZnO、Ga₂O₃等）和金刚石等宽禁带半导体。相对于第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs和InP，第三代半导体材料具有高击穿电场强度、高热导率、高电子饱和率、高漂移速率以及高抗辐射能力等优越性能。应用也较为广泛，覆盖了中高压电力电子转换、毫米波射频和高效半导体光电子等领域，是制造业产业升级的重要支撑。

• 氮化镓（GaN）属于人造化合物，之所以强调人造，是因为此种材料需要在2000℃左右的高温和近万个大气压下才能合成，这在自然界合成很困难。氮化镓熔点为1700℃，到目前为止已知的GaN有三种晶体结构，分别为纤锌矿、闪锌矿、和岩盐矿。由于氮化镓（GaN）具有更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓（GaN）用于充电器的运行速度，比传统硅器件要快100倍。在高速开关的情况下仍能保持高效率工作，所以，小米、华为、苹果等消费电子品牌商将氮化镓（GaN）用于快充充电器产品。 

• 碳化硅（SiC）也有类似的六方体结构，碳化硅(SiC)比氮化镓（GaN）研究更早，也是当前发展最成熟的宽禁带半导体材料。碳化硅(SiC) 在导热率上具备更多的优势，因此在高功率应用，比如高铁、输变电、新能源汽车以及工业控制等领域占据主要地位。

2017年，中国第三代半导体产业全面启动，中央和地方出台相关政策加大对第三代半导体材料及产业化应用扶持力度。

从市场情况来看，由于成本及技术原因，目前硅基半导体材料仍然是市场的主流。根据机构数据显示：2020年，碳化硅(SiC) 与氮化镓（GaN）功率半导体的全球市场约8.54亿美元，SiC市场规模约为7.03亿美元，GaN市场规模约为1.51亿美元。而2020年全球整体功率半导体器件市场规模为180亿美元至200亿美元。所以，2020年碳化硅(SiC) 与氮化镓（GaN）器件仅占整个功率半导体器件市场的4.2%至4.5%，整体渗透率并不高。根据Yole发布的数据预测，2025年碳化硅(SiC)的市场规模为25亿美金，2026年氮化镓（GaN）市场规模预测数据为10亿美金。

第三代半导体材料和技术正在加速发展，在新一代显示、5G移动通信、相控阵雷达、高效智能电网、新能源汽车、自动驾驶、工业电源、消费类电子产品等领域展示出广阔的、不可替代的应用前景，并逐渐成为人工智能、未来智联网等发展的核心关键元器件的材料基础。预计将形成万亿美元的应用市场，成为新一代制造业必争的战略要地，成为全球各国提升未来核心竞争力的重要手段和重要支撑。